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E-Medium
Strain-engineered MOSFETs /
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Verfasserangabe:
.K. Maiti, T.K. Maiti.
Medienkennzeichen:
OPEN ACCESS
Jahr:
2013.
Verlag:
Boca Raton, Fla. :, CRC Press,
Mediengruppe:
E-Book
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HdBA Online
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"This book brings together new developments in the area of spin-engineered MOSFETs using high-mobility substrates such as SIGe, strained-Si, germanium-on-insulator, and III-V semiconductors. The authors cover the materials aspects, principles, design, fabrication, and applications of advanced devices. They present a full TCAD methodology for strain-engineering in Si CMOS technology involving data flow from process simulation to systematic process variability simulation and generation of SPICE process compact models for manufacturing for yield optimization"--
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Verfasserangabe:
.K. Maiti, T.K. Maiti.
Medienkennzeichen:
OPEN ACCESS
Jahr:
2013.
Verlag:
Boca Raton, Fla. :, CRC Press,
Aufsätze:
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ISBN:
9781315216577
Beschreibung:
1 online resource (xix, 300 pages)
Mediengruppe:
E-Book